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元器件采购网 > F-109页 > FET - 阵列FDMJ1032C

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FDMJ1032C

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FDMJ1032C参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N/P-CH DUAL 20V SC75
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A,2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 3.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:270pF @ 10V
功率 - 最大:800mW
安装类型:表面贴装

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